一、肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
二、快恢复二极管
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
三、肖特基与快恢复二极管的区别对比
快恢复二极管是反向恢复时间很短的二极管（5us以下），其正向压降高于普通二极管（0.8~2V）反向耐压在1200V以下，在性能上可以分为快恢复和超快恢复，后者可以达到100ns以下。
肖特基二极管反向恢复时间在10ns以下，反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V多用于低压场合。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒。前者的优点还有低功耗，大电流，超高速；后者有较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压，反向漏电小，可用于电压较高且频率较高的场合。
另外肖特基二极管的ESD承受能力低于快恢复二极管。
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