SOT-227===这个封装，MOS模块 STE180NE10已经封装，可持续供货！完美替代！有需要可联系：13632957632 朱小飞
SOT-227===这个封装，我司可封装：快恢复模块、肖特基模块、MOS模块、电源模块 。
产品描述
SOT-227===这个封装，我司可封装：快恢复模块、肖特基模块、MOS模块、电源模块 。
产品描述
这是功率MOSFET的**发展独特的“单一特征的意法半导体大小™”地带的过程。由此产生的特性和不太关键的对准步骤因此，一个卓越的制造业再现性。
特点
100%雪崩测试
低固有电容
栅极电荷**小化
降低电压的传播
参数表
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Symbol
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Parameter
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Test conditions
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Min.
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Typ.
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Max.
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Unit
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ISD
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Source-drain current
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180
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A
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Source-drain current
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ISDM
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(pulsed)
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540
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A
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(2)
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Forward on voltage
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ISD = 180A, VGS = 0
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1.5
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V
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VSD
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trr
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Reverse recovery time
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ISD = 100A,
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235
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ns
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di/dt = 100A/µs,
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Qrr
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Reverse recovery charge
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1.65
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µC
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VDD = 50V, Tj = 150°C
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IRRM
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Reverse recovery current
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14
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A
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(see Figure 14)
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主要参数
低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。