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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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肖特基二极管应用主要参考参数

发布时间:2017-01-16 11:06:47       返回列表
肖特基二极管
  肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
 
  肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。**显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky)二极管的**特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管(比如开关电源次极整流二极管),续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
  开关电源当中我们经常会用到肖特基二极管,但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大,我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数:
  1、导通压降VF
  VF为二极管正向导通时二极管两端的压降,当通过二极管的电流越大,VF越大;当二极管温度越高时,VF越小。
  2、反向饱和漏电流IR
  IR指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,肖特基二极管反向漏电流较大,选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。
   3、额定电流IF
  指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。
  4. **浪涌电流IFSM
  允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
  5.**反向峰值电压VRM
  即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压,它的**值是规定的重要因子。**反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的**反向电压。目前肖特基**高的VRM值为150V。
  6. **直流反向电压VR
  上述**反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,**直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.
  7.**高工作频率fM
  由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。肖特基二极管的fM值较高,**可达100GHz。
  8.反向恢复时间Trr
  当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上,一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时,反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时,此项指标至为重要。
  9. **耗散功率P
  二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。在实际中外部散热状况对P也是影响很大。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流加上反向恢复损耗。

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肖特基二极管应用主要参考参数

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