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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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快恢复二极管的制作工艺

发布时间:2017-02-17 18:06:07       返回列表
   近年来,随着电力电子技术的发展,快恢复二极管在开关电源等电路中得到越来越广泛的应用。在快恢复二极管的制造中,减小器件少子寿命,提高器件开关速度的方法是在器件内部引入复合中心。用铂扩散的方法来减少反向恢复时间trr,这无论从铂的能级理论上分析,还是从寿命理论上分析都有其可行性。另外,采用铂扩散工艺成本较低,适合大批量生产。本文从理论方面阐述了铂扩散控制少于寿命的可行性。
  在制造GPP芯片时采用氮化硅+玻璃这种钝化方式近些年来得到越来越多的应用。

  快恢复二极管GPP管芯的生产工艺与普通GPP二极管的生产工艺相比难度更大。铂金扩散引入的复合中心能级直接决定着恢复时间参数trr的大小,对温度(800℃以上)特别敏感,因此要克服玻璃钝化温度对trr参数的影响。
  快恢复二极管要求开关速度快,采用铂扩散温度在850~940℃能够获得不同要求的trr值。如果玻璃钝化所选用的玻璃粉的烧结温度与铂扩散温度接近,将会改变铂扩散引入的复合中心能级,对trr产生较大的影响。本文分别采用美国FERRO公司的不同烧结温度的玻璃粉IP830和IP760进行实验。结果表明烧结温度较低的玻璃粉IP760制成的快恢复二极管trr在玻璃烧结前后没有明显变化,正向压降也没有发生变化。而烧结温度较高的玻璃粉IP830制成的快恢复二极管trr载玻璃烧结后平均增加了约20~-25 ns。表3-2是我们实验所得的数据:
表3-2不同烧结温度的玻璃粉制成快恢复二极管样品trr比较
不同烧结温度的玻璃粉制成快恢复二极管样品trr比较

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快恢复二极管的制作工艺

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