快恢复二极管（FRD）适用于需要高速开关的设备中。设计这种二极管对研发工程师是一个考验，可接受的导通电压和好的动态性能是矛盾的，他们必须找到两者的一个**组合（即高的**额定功率、低的瞬变可能性和低的关断能量Err）。
所有快恢复二极管的通用属性
1)在阳极附近，等离子水平必须比较浅，这样即使高的换流di/dt产生的反向电流峰值也不大。
2)为了使通态压降在合理的范围内，避免反向电流峰值的瞬变，n-区域中间的载流子浓度不应该降的太低。
3)阴极侧，等离子浓度应该相对比较高，这样二极管在尾部才不至于发生瞬变。然而，必须注意等离子浓度也不能太高，这样无益于软恢复特性的多余电荷会增加不必要的关断损耗。
根据推理，一个普通的强发射极pin二极管无法满足快恢复二极管的载流子分布要求。相反，自然状态的载流子分布是与所需情况相悖的：阳极载流子浓度较高，阴极相对较低（见下图）。于是，工程师们必须使用各种方法来调制等离子形状，这也衍生出了众多的概念上不同的FRD设计方案。
图1 室温和jpin=100A/cm2时pin二极管的i区载流子分布
有轴向载流子寿命分布的二极管
如今**的等离子分布调制方案是在轴向方向的特定部位减少载流子寿命。开始时，选择的是有强发射极的pin二极管，对于快恢复二极管这是一个比较差的等离子分布。为了提高动态性能，二极管被高能粒子流照射，或者用重金属扩散，如金或铂。下图展示了这类二极管典型的载流子寿命方案。
下面来简单讨论一下**常用的载流子寿命减少方法。
图2 pin二极管典型轴向载流子寿命剖面图（阳极附近寿命水平较低，得到一个浅的等离子层，中间区域的高寿命载流子用来产生一个向阴极渐升的等离子浓度。用这种方法，可以得到低的瞬变发生率和合理的通态压降）
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