第三代HEXFETs国际整流器为设计师提供**交换的**组合，坚固耐用的设备设计，低和成本效益。采用SOT - 227封装普遍**的功耗水平在所有工业应用约500瓦。低的SOT - 227热电阻有助于其在整个行业广泛接受。
完全隔离的封装
易于使用和并联
低电阻
额定动态dv / dt
全额定雪崩
简单的驱动要求
低栅极电荷器件
Low Drain外壳电容
低电感
MOS模块FA57SA50LC现货价格参数资料
价格：1
产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
封装 / 箱体: SOT-227-4
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
高度: 12.3 mm
长度: 38.3 mm
系列: VS-FA
工厂包装数量: 10
宽度: 25.7 mm
零件号别名: FA57SA50LCP
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MOS模块主要参数：
1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
MOS模块FA57SA50LC应用：
在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。
我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是**的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的**简单的定义是结到管壳的热阻抗。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。