晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
MOS模块FA57SA50LC芯片现货技术参数
通道类型 N
**连续漏极电流 5.7 A
**漏源电压 500 V
**漏源电阻值 80 mΩ
**栅源电压 ±20 V
封装类型 SOT-227
安装类型 螺丝安装
引脚数目 4
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
**功率耗散 625 W
典型栅极电荷@Vgs 225 nC @ 400 V
典型输入电容值@Vds 10000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间 108 ns
宽度 25.7mm
每片芯片元件数目 1
长度 38.3mm
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
典型接通延迟时间 152 ns
**工作温度 -55 °C
高度 12.3mm
**高工作温度 +150 °C 在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。
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