海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！
  海飞乐技术快恢复二极管HU30120C主要参数，TO-220封装；HU30120H/ HFD30120H，TO-247封装(可按需求定制不同封装)，电流30A，电压1200V，采用平面外延芯片及高温铂扩散工艺，降低开关损耗及IRM值，反向恢复时间短，主要应用于高频开关器件、变频器、整流器开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）及超声波清洗机和焊机中，作续流二极管、整流二极管及阻尼二极管等。
30A1200V快恢复二极管HU30120C主要参数


30A1200V快恢复二极管HU30120H主要参数


30A1200V快恢复二极管HFD30120H主要参数


   快恢复二极管的过热失效
  过热失效是指快恢复二极管工作时产生的功耗引起结温升高，超过器件所允许的**高结温Tjm，导致器件发生热击穿。过热失效与器件的工作温度有关。通常用一个本征温度Tint来预测温度升高时器件内部的失效机理。Tint是指当热产生导致温度升高时的载流子浓度ni( T)等于衬底掺杂浓度ND时的温度。当温度高于Tint时，载流子浓度随温度按指数增长，热产生成为主导因素。Tint与本底掺杂浓度有关，一般高压器件(ND约为1013cm-3)的Tint要比低压器件(ND约为1014cm-3)低得多。由于受材料、工艺等因素的影响，器件Tjm通常远小于Tint。

现货30A1200V快恢复二极管技术参数

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