海飞乐技术多种封装300A400V快恢复二极管模块，使用平面钝化芯片、双芯片封装，具有软恢复特性，恢复时间短，开关损耗低等优点。应用于开关电源、电机控制及感应设备中。作为整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
300A400V快恢复二极管模块封装外形及尺寸
一般快恢复二极管主要指与**晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在1µs以上，大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺，电流从几十安培至几千安培，电压几百至3000V以下，反向恢复特性通常比较優。结构上主要有园饼结构和方片结构，其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。
我国一般快恢复二极管的水平与国际**水平相差无几。国产器件不但在国内市场占有80%以上的份额，而且还有越来越多的出口。为区别于一般快恢复二极管，人们常将与IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD称之为超快恢复二极管，由于IGBT、功率MOSFET器件的开关速度很快，因此要求FRD不仅反向恢复要很快，而且要求“软”特性，以避免产生高的电压尖峰，避免产生射频干扰(RFI)和电磁干扰(EMI)。