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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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MOS模块100A650V现货技术参数

发布时间:2019-03-26 14:39:25       返回列表
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作

   海飞乐技术多种封装100A650VMOS模块,低导通阻抗,开关特性好,结构牢固,可靠性高。应用于电动汽车、UPS设备、等离子切割、机器人等领域。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
100A650VMOS模块
 
100A650VMOS模块主要参数
100A650VMOS模块主要参数

100A650VMOS模块封装外形及尺寸
100A650VMOS模块封装外形及尺寸

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管),属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(**高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。

MOS的重要参数:
在MOS管选择方面,系统要求相关的几个重要参数是:
1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力;
2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制;
3.开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;
4.MOSFET**允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。

MOS模块100A650V现货技术参数

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