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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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电动车用大电流MOS1360A100V参数

发布时间:2019-03-26 14:44:42       返回列表
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作

   海飞乐技术多种封装1360A100VMOS模块,低导通阻抗,开关特性好,结构牢固,可靠性高。应用于电动汽车、UPS设备、等离子切割、机器人等领域。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
1360A100VMOS模块
 
1360A100VMOS模块主要参数
1360A100VMOS模块主要参数

1360A100VMOS模块封装外形及尺寸
1360A100VMOS模块封装外形及尺寸

MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

电动车用大电流MOS1360A100V参数

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