海飞乐技术快恢复二极管现货替换MUR6060PT。

 海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

  快恢复二极管属于整流二极管中的高频二极管，特点是它的反向恢复时间很短，这一点特别适合高频率整流。快恢复二极管的反向恢复时间是其性能的重要参数，反向恢复时间的定义是：二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始，到反向电源恢复到**反向电流的10％所需要的时间。常用符号trr表示，trr值越小的快恢复二极管工作频率越高。因为导通和截止转换迅速，从而可以改善整流波形。快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，普通整流二极管是一个PN结，而快恢复二极管PN结中间增加了基区I，构成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短。从电物理现象来解释，导通状态向截止状态转变时，二极管在阻断反向电流之前需要首先释放上个周期存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间，反向恢复时间实际上是由电荷存储效应引起的．反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。  

MUR6060PT现货技术参数
二极管配置 共阴极 
**连续正向电流 60A 
每片芯片元件数目 2 
峰值反向重复电压 600V 
二极管类型 硅结型 
引脚数目 3 
**工作温度 -40 °C 
**高工作温度 +150 °C 

   结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
  20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
  几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

  工作原理
  二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。