IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供**切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。
高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
IGBT 分立元件和模块，IXYS
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和**切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
采用MOS技术的两单元半桥结构模块，属于赛米控第二代高密度NPT型IGBT产品，采用烧结技术连接的IGBT能大幅度提升整流器的循环能力和**高结温，功率部分连接中焊接的消除使得热膨胀系数不同的材料结合在一起，而不引起材料疲劳。是第二代IGBT模块中的代表，已经广泛运用到变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。因为较高的阻断电压和较小的尺寸导致Vce(sat)增加。此低Vce(sat)是新场截止沟道IGBT的主要优势。场截止沟道技术还减少了每转换周期的关断能耗，如图1所示。此增强的权衡特性使逆变器设计能够满足较高系统效率的市场需求。尽管硅面积减小，新场截止沟道IGBT在因热失控出现故障之前提供5us短路耐受时间，这是上一代IGBT无法提供的。新场截止沟道IGBT也有较低的关断状态漏电流，**结温为175℃。