海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
IXA60IF1200NA特性：
IXA60IF1200NA特性：
高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
SOT-227B封装IGBT模块IXA60IF1200NA现货特性参数
**连续集电极电流 88 A
**集电极-发射极电压 1200 V
**栅极发射极电压 ±20V
**功率耗散 290 W
封装类型 SOT-227B
安装类型 表面贴装
通道类型 N
引脚数目 4
晶体管配置 单
长度 38.23mm
宽度 25.25mm
高度 9.6mm
尺寸 38.23 x 25.25 x 9.6mm
**工作温度 -40 °C
**高工作温度 +125 °C
对半导体静态负载和短期负载的**散热。功率模块通过高效冷却能得到有效利用，高效冷却是获得大功率及**成本半导体的"必要条件"。因此IGBT和二极管芯片的容许温度一代比一代高，而芯片很高的运行温度和高效的散热能力又提高了对模块设计的温度及功率循环能力要求。这就要求不断开发新型构建和连接技术。
判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。