海飞乐技术现货替换VS-HFA70FA120肖特基二极管模块。
肖特基二极管通常用功函数较大的金属与轻掺杂n-外延层直接接触而成，为保持低功耗须使用重掺杂的n+衬底。n-外延层是该器件的漂移区，其长度及其材料的电阻率既决定着SBD通态比电阻的大小（类似于功率MOS的漂移区），也决定着SBD的反向阻断特性。由于高压设计需要提高材料的电阻率并增加漂移区的长度，使其比电阻Rd0增大，这不但会使正向压降升高，也会因RC时间常数正比于Rd01/2而使开关特性变坏。因此其正向压降低、工作频率高的优势只存在于低压器件中。不过，即便是低压SBD，由于正向导通时缺乏额外载流子的电导调制，电流密度增高时，其正向压降会迅速升高，如图1所示。图中两条实线所代表的功率SBD和pin二极管具有相同击穿电压。
肖特基二极管模块VS-HFA70FA120现货规格参数
产品种类: 肖特基二极管模块
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS
封装 / 箱体: SOT-227
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 160
商标名: HEXFRED
零件号别名: HFA60FA120P
匹配代码 VS-HFA70FA120
V（ RRM ） 1200V
T（ RR ）为4ns 51ns
V（ F） 2.3V
包装 ISOTOP
单位包 10
标准的提前期 14 weeks
**小起订量 160
I（ F）的AV设备 70A
I（ F）的AV二极管 35A
汽车 NO
技术 HEXFRED
安装 SMD
无铅Defin RoHS-conform
I（F）RMS 380A
封装 Tube
产品种类 Rectifiers
RoHS RoHS Compliant
为解决器件的反向蠕动、漂移、高温反向漏电等现象，LPCVD方法连续生长掺氧多晶硅和氮化硅，取代热氧化生长的SiO2。因为钝化层中的掺氧多晶硅与热氧化生长的SiO2相比有以下五大优点：
(1)掺氧多晶硅是淀积形成的，成分与硅衬底相近，不存在热氧化生长的SiO2- Si系统固有的固定电荷。
(2)掺氧多晶硅是在600℃～650℃的低温下形成的，与Na+离子沾污的几率低于热氧化生长的SiO2。
(3)掺氧多晶硅是半绝缘膜，能克服势垒区雪崩击穿引起的电压蠕变现象。
(4)掺氧多晶硅能屏蔽外电场和离子沾污，从而使器件的稳定性和可靠性得到提高。