海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！   IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现**交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子**消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。但是，一旦运用了生命期控制技术，即使处通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率”简单扼要地概括出来。

英飞凌IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管AUIRG4PH50S现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 ℃的连续集电极电流: 33 A
单位重量: 38 g

IGBT所承受的电流值达到或超过短路安全工作区所限定的**边界，如4-5倍额定电流时须在10us之内关断IGBT。如果此时IGBT所承受的**电压也超过器件标称值，IGBT必须在更短时间内被关断。
IGBT的短路主要有两种:
1. IGBT从断态直接进入短路状态。在短路开始时，集电极和发射极之间的电压是直流母线电压。在集电极电流上升过程中，由于短路寄生电感上的电压，集电极=发射极有微小的减少。当集电极电流达到稳态时，集电极-发射极又等于直流母线电压，因此，集电极=发射极电压在整个短路期间都很大，等于直流母线电压。
2. IGBT从正常导通状态进入短路，由于短路的电流迅速上升，IGBT退出饱和状态。集电极-发射极的上升产生流过米勒电容Cge的电流Igc，这个电流在关断电阻上产生压降，导致IGBT的栅极电压在短路瞬间升高，使短路电流在栅极电压回落到正常值之前出现很大的尖峰。

替换IGBT单管AUIRG4PH50S现货技术参数

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