海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！   IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。

英飞凌IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管IKW40N120T2现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 ℃的连续集电极电流: 40 A
单位重量: 38 g

IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量，其栅电容较小，并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压，在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进，可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性，如降低栅存储时间，降低开关损耗，还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向，消除了导通电阻中RJFET的影响，还可以提高元胞密度，从而有利于降低功耗，因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中，但是沟槽刻蚀后表面粗糙，会影响载流子迁移率及造成电场集中，影响击穿电压，而且多晶硅栅面积增加，使栅电容增大，此外，由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流，需要对元胞结构进行优化设计。

替换IGBT单管IKW40N120T2现货技术参数

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