海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！   IGBT是将强电流、高压应用和**终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然**一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路

IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管IKW08T120现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 ℃的连续集电极电流: 8 A
单位重量: 38 g

判断IGBT模块好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。

检测IGBT模块注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用　表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

替换IGBT单管IKW08T120现货技术参数

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