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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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替换IGBT单管IGW25N120H3现货技术参数

发布时间:2019-04-30 17:36:26       返回列表
海飞乐技术IGBT单管现货替换IGW25N120H3。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作
IGBT单管
  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

产品特点:
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度

IGBT单管IGW25N120H3现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 ℃的连续集电极电流: 25 A
单位重量: 38 g

沟槽结构对IGBT性能的提升
IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量,其栅电容较小,并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压,在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进,可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性,如降低栅存储时间,降低开关损耗,还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向,消除了导通电阻中RJFET的影响,还可以提高元胞密度,从而有利于降低功耗[17],因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中,但是沟槽刻蚀后表面粗糙,会影响载流子迁移率及造成电场集中,影响击穿电压,而且多晶硅栅面积增加,使栅电容增大,此外,由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流,需要对元胞结构进行优化设计,如图5所示。三菱公司则提出了一种“元胞合并式” IGBT结构(plugged/dummy cells)以降低饱和电流,提高短路能力,并抑制短路测试过程中的栅电压振荡现象。为了满足不同的封装需要,IGBT的栅极电极可以位于芯片中心、边上中央及边角处,对于焊接式封装,这三种位置都可满足要求,对于压接式封装,一般选择将栅电极设置在边角处。

替换IGBT单管IGW25N120H3现货技术参数

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