海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！   沟道型IGBT模块可降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提高UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率。沟道型IGBT模块与超**软恢复二极管封装在一起。与穿透型(PT)和非穿透型(NPT)IGBT相比较，新IGBT系列拥有较低的集电极到发射极饱和电压(VCE(on))及总开关能量(ETS)。此外，内置超**软恢复二极管也能提高效率且降低EMI。

IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管IKW20N60H3现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 600 V
在25℃的连续集电极电流: 20 A
单位重量: 38 g

选择和使用
① 请在产品的**额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦超出**额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加超出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用！工作使用频率愈高,工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏（特别是IGBT和FRED模块需要专业的测试设备，请勿使用非专业的设备测试其电压的**值）。
② 驱动电路：由于IGBT Vce（sat） 和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为 +VG=14～15V，-VG=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求； 栅极电阻Rg与IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间**折衷（与频率有关）选择合适的Rg 值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅极开路，建议靠近栅极与发射极间并联20K～30KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。

替换IGBT单管IKW20N60H3现货技术参数

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