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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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替换IGBT单管AIKW30N60CT现货技术参数

发布时间:2019-04-30 18:13:09       返回列表
海飞乐技术IGBT单管现货替换AIKW30N60CT。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作
IGBT单管
  IGBT具有很强的抗短路能力,作为电力电子变换器的核心器件,为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础,其被广泛运用于 AC逆变器驱动器、 UPS、电子焊工在FSW可达20千赫。节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的更低廉的元器件。此外,紧凑的工业标准TO-247封装内还集成了大多数电路所需的超高速续流二极管,减少了外部元器件的数量。

产品特点:
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度

IGBT单管AIKW30N60CT现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 600 V
在25℃的连续集电极电流: 30A
单位重量: 38 g

IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量,其栅电容较小,并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压,在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进,可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性,如降低栅存储时间,降低开关损耗,还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向,消除了导通电阻中RJFET的影响,还可以提高元胞密度,从而有利于降低功耗,因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中,但是沟槽刻蚀后表面粗糙,会影响载流子迁移率及造成电场集中,影响击穿电压,而且多晶硅栅面积增加,使栅电容增大,此外,由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流,需要对元胞结构进行优化设计。

替换IGBT单管AIKW30N60CT现货技术参数

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