一般快恢复二极管主要指与**晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在1µs以上，大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺，电流从几十安培至几千安培，电压几百至3000V以下，反向恢复特性通常比较優。结构上主要有园饼结构和方片结构，其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。
DSEP8-12A特性：
国际标准封装
平面钝化芯片
恢复时间短
开关损耗低
软恢复特性
DSEP8-12A应用：
开关设备
抗饱和二极管
缓冲二极管
续流二极管转换器
电机控制电路
在开关模式电源整流器
电源（SMPS ）
感应加热和熔化
不间断电源（ UPS ）
超声波清洗机和焊接
DSEP8-12A产品优势：
高可靠性的电路操作
低电压的峰值减少
保护电路
低噪声开关
低损耗
工作在较低的温度或
节省空间通过降低冷却液
快恢复二极管DSEP8-12A技术参数
RoHS：ROHS无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 1200V 8A TO220C
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC反向 (Vr)（**值）：1200V
电流-平均整流 (Io)：8A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-220C
反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。