海飞乐技术快恢复二极管现货替换IRG4PH30K。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管（如图1所示）。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现，只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别，降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极**电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。
产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度
IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案
IGBT单管IRG4PH30K现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25℃的连续集电极电流: 10A
单位重量: 38 g
在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。