海飞乐技术快恢复二极管现货替换IRGP20B120U-E。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度
IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案
IGBT单管IRGP20B120U-E现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25℃的连续集电极电流: 20A
单位重量: 38 g
对于导热剂与散热器表面的建议
按照一般规则，对于PrimePACk模块来说，如果手工来涂抹导热剂，我们建议50um的典型厚度。根据导热剂的粘度，存在与**值的偏差也是可能的（请见下文）。 在我们的数据手册里，你会发现一个热阻RthCH的数值，它表示的是模块基板与散热器之间的导热阻抗。为了在你的应用中确保这个热阻值，在模块与散热器之间接触面的粗糙度和散热器的平整度应该具有以下：
基板规格 表面粗糙度 平整度 172×89mm 模块： <10um <30um 250×89mm 模块： <10um <50um 下面的这些量值一个准则，就是导热剂为了达到50um的涂层所需要的量值。这些容量可以通过注射或者利用别的管子来测量得到。
172×89mm 模块： 0.77cm3 250×89mm 模块： 1.11cm3
2 丝网印刷工艺 在丝网印刷的过程中，导热剂被直接应用于模块的基板。以下图片展示的是机器工作及导热剂涂抹过程。
1.首先清洁金属夹具上的变硬的导热剂残留物或者其他杂质。可以应用适当的乙醇等化学物品。
2. 校准丝网模板与模块的位置。