海飞乐技术快恢复二极管现货替换IHW50N65R5。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
新一代1200V IGBT4功率半导体的**高工作温度可达Tvjop=150℃，而上一代IGBT3的工作温度**高只能到125℃。150℃的**高工作温度是由英飞凌在其第三代600V功率半导体中首次实现的。允许器件达到这一更高的工作温度，就有可能允许器件在同样的散热条件下通过全温操作达到更高的输出功率。产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度
IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案
IGBT单管IHW50N65R5现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极**电压 VCEO: 650 V
在25℃的连续集电极电流: 50A
单位重量: 38 g
产品结构
**典型的代表是后缀为“DN2”系列。如 BSM200GB120DN2。 “DN2”系列**适用频率为 15KHz－20KHz，饱和压降 VCE(sat)=2.5V。“DN2”系列几乎适 用于所有的应用领域。西门子在“DN2”系列的基础上通过优化工艺，开发出“DLC”系列。 “ DLC ” 系 列 是 低 饱 和 压 降 ， （ VCE(sat)=2.1V ） ， ** 佳 开 关 频 率 范 围 为 1KHz － 8KHz 。 “DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。后来 Infineon／EUPEC 又推出短拖尾 电流、高频“KS4”系列。“KS4”系列是在“DN2”的基础上，开关频率得到进一步提高， **使用开关频率为 15KHz－30KHz。**适合于逆变焊机，UPS，通信电源，开关电源，感应 加热等开关频率比较高（fK≥20KHz）的应用场合。在这些应用领域，将逐步取代“DN2”系 列。EUPEC 用“KS4”芯片开发出 H—桥（四单元）IGBT 模块，其特征是内部封装电感低， 成本低，可直接焊在 PCB 版上（注：这种结构在变频器应用中早已成熟，并大量使用）。总 之，EUPEC IGBT 模块中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工艺，平面栅结构，是第二 代 NPT-IGBT。