海飞乐乐技术有限公司，定做、销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。可封装完美替换快恢复二极管APT2x61DQ100J。关于更多快恢复二极管的相关信息请联系工作人员：  吴海丽 15712055037   绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和**的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 
  IGBT模块发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系。

IGBT模块APT100GF60JU2现货技术参数
制造商: Microsemi 
产品种类: IGBT 模块 
RoHS: 详细信息 
产品: IGBT Silicon Modules 
配置: Single 
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V 
集电极—射极饱和电压: 2.1 V 
在25 C的连续集电极电流: 120 A 
栅极—射极漏泄电流: 150 nA 
Pd-功率耗散: 416 W 
封装 / 箱体: SOT-227-4 
**小工作温度: - 55 C 
**工作温度: + 150 C 
封装: Bulk 
高度: 9.6 mm 
长度: 38.2 mm 
工作温度范围: - 55 C to + 150 C 
宽度: 25.4 mm 
商标: Microsemi 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极**电压: +/- 20 V 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 50 
子类别: IGBTs 
商标名: ISOTOP 
单位重量: 30 g

  IGBT栅极的保护 
  IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏IGBT,因此,在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若IGBT的栅极与发射极间开路,而在其集电极与发射极之间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在,使得栅极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时,可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开,在不被察觉的情况下给主电路加上电压,则IGBT就可能会损坏。为防止此类情况发生,应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻,此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

IGBT模块应用：
IGBT主要应用在电机、变换器（逆变器）、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备、开关电源、电车、交流电机控制、，变频家电、汽车点火器、电力机车和高速动车组等工业控制领域。

IGBT模块直流过电压：
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取IGBT时,进行降额设计;另外,可在检测出这一过压时分断IGBT的输入,保证IGBT的安全。
IGBT浪涌电压的保护：
因为电路中分布电感的存在,加之IGBT的开关速度较高,当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时,就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt,威胁IGBT的安全。

替换IGBT模块APT100GF60JU2现货技术参数

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