功率MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。
特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS模块IXFN60N80P技术参数资料
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 53 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN60N80
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 30 g
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS模块IXFN60N80P技术参数资料
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 53 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN60N80
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 30 g
功率MOSFET的源极及漏极可以互换，因此应用灵活性较大。另外，功率MOSFET的栅极G不能开路，否则会出现不正常的工作状态，功率MOSFET都是增强型的，即它在VGS=0时没有漏极电流。在VGS=0、一定的VDS下，其饱和漏电流VDSS=1～4μA。如果功率MOSFET的输出漏极电流不够，可以将两个同型号的功率MOS-FET并联起来，无需均流电阻，但双极型晶体管则要加均流电阻。由于功率MOSFET是电压控制型的，一般用TTL电平就能控制，使控制电路不必考虑驱动电流的大小，其电路要比电流控制型简单得多。
MOSFET在电子电路上应用的优势
MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型积体电路（LSI）或是超大型积体电路（VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。
近年来由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现。