电路分析结果表明，通过对IPM自举电路初始上电工作瞬间工作原理及工作过程进行分析发现，在电路开始工作之前系统初始化阶段，下桥IGBT开启自举电容充电过程二极管承受电压**小，二极管不会存在过压失效可能，上桥IGBT开启过程二极管此时起到强弱电的有效隔离，两端承受电压**，除IPM外为此电路承受电压冲击频率**器件，如果器件因各种因素导致反向耐压偏低极易出现器件反向耐压不足击穿失效。导致内部IGBT开通异常急剧发热炸裂，所以经过对失效主板分析及器件应用电路分析判断，二极管异常导致炸板，经过实际模拟验证二极管耐压偏低确实可以导致模块炸失效，与下线故障现象一致。
快恢复二极管DPF240x400NA技术参数制造商: IXYS
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
类型: HiPerFRED
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
**小工作温度: - 40 C
**工作温度: + 125 C
系列: DPF240x400NA
封装: Tube
配置: Dual
商标: IXYS
Id-连续漏极电流: 10 uA
工厂包装数量: 10
商标名: HiPerFRED
单位重量: 30 g
影响二极管高温铜迁移产生因素分析
温度
铜产生铜原子并产生迁移温度大约是从350°开始，温度越高铜原子运动越活跃，迁移速率越快，受温度影响很大，该快恢复二极管晶圆实际焊接温度370°，存在铜原子迁移条件。焊接温度是很重要影响因素生产时一定注意温度的控制。
引线焊接材质
二极管晶圆焊接使用的引线是铜材质，铜材质相对铝材质导热性能好、电阻率低、热膨胀系数小、熔点高。但是使用铜材质引线就避免不了铜原子产生及迁移。
硅晶圆表面保护阻隔层覆盖不到位
二极管晶圆表面未形成有效的保护阻隔层，设计应保证晶圆表面特别是边缘位置必须有效覆盖防止出现晶圆边缘位置因为封沟设计、或是制造过程出现问题导致硅晶圆实际没有有效的覆盖，为铜原子迁移与硅发生反应提供充足条件。