随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频**充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
快恢复二极管DPF80C200HB技术参数
制造商: IXYS
产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关
产品: Switching Diodes
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
峰值反向电压: 200 V
**浪涌电流: 560 A
If - 正向电流: 40 A
配置: Dual Common Cathode
恢复时间: 55 ns
Vf - 正向电压: 0.95 V
Ir - 反向电流 : 0.2 mA
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
系列: DPF80C200HB
封装: Tube
高度: 21.45 mm
长度: 16.24 mm
类型: Fast Recovery Diode
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
Pd-功率耗散: 215 W
工厂包装数量: 30
商标名: HiPerFRED
Vr - 反向电压 : 200 V
单位重量: 38 g
工作过程
系统初始在上电瞬间自举电容两端电压为零，如果IPM需要正常启动工作，驱动电路VCC就需要正常供电，初始化时没有电压，在IPM工作前，需要对自举电容进行充电，通过控制驱动信号足够脉冲数量，**控制IGBT开通，将电容两端电压抬升至目标电压，具体工作过程为：在上电瞬间需要对自举电容进行充电，下桥臂的IGBT开通将对应相输出电压拉低到地，电源通过自举电阻、自举二极管对电容进行充电。
当上桥IGBT开通时，输出电压再次升至母线电压水平。电容两端电压因不能突变，两端电压仍保持在供电电压水平，同时给IGBT驱动提供电压。自举二极管反向截止，将弱电电源部分与母线电压有效隔离，避免强电导入弱电击穿电路器件，以上是单个循环，后续周而复始进行。