海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
一般快恢复二极管主要指与**晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在1µs以上，大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺，电流从几十安培至几千安培，电压几百至3000V以下，反向恢复特性通常比较優。结构上主要有园饼结构和方片结构，其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。
快恢复二极管DPG80C400HB参数制造商: IXYS
产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关
产品: Switching Diodes
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
峰值反向电压: 400 V
**浪涌电流: 400 A
If - 正向电流: 40 A
配置: Dual Common Cathode
恢复时间: 45 ns
Vf - 正向电压: 1.14 V
Ir - 反向电流 : 0.4 mA
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
系列: DPG80C400
封装: Tube
高度: 21.45 mm
长度: 16.24 mm
类型: Fast Recovery Diode
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
Pd-功率耗散: 215 W
工厂包装数量: 30
商标名: HiPerFRED
Vr - 反向电压 : 400 V
单位重量: 38 g
快恢复二极管的性能特点：
(1)反向恢复时间trr要短，以加快器件的开关速度，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率；
(2)反向恢复峰值电流IRM要小，防止开关器件因通过大电流而烧毁；
(3)反向恢复软度因子S要大，以减小器件反向恢复过程中的电压过冲和电压振荡，提高器件工作的稳定性和可靠性；
(4)反向漏电流IR要小，以减小器件在关断状态下的功率损耗；
(5)正向通态压降VF要小，以减小器件在导通状态下的功率损耗。以达到这些要求为基本目标。