场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。**普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

 在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。

  我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是**的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的**简单的定义是结到管壳的热阻抗。

MOS模块APL602J现货技术参数
制造商: Microchip 
产品种类: 分立半导体模块 
RoHS: 详细信息 
产品: Power MOSFET Modules 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
安装风格: Screw Mount 
封装 / 箱体: SOT-227-4 
**小工作温度: - 55 C 
**工作温度: + 150 C 
配置: Single 
高度: 9.6 mm 
长度: 38.2 mm 
宽度: 25.4 mm 
商标: Microchip / Microsemi 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
下降时间: 14 ns 
Id-连续漏极电流: 43 A 
Pd-功率耗散: 565 W 
产品类型: Discrete Semiconductor Modules 
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms 
上升时间: 24 ns 
工厂包装数量: 1 
子类别: Discrete Semiconductor Modules 
商标名: ISOTOP 
典型关闭延迟时间: 58 ns 
典型接通延迟时间: 13 ns 
Vds-漏源极击穿电压: 600 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 
单位重量: 30 g

  其发热情况有：
  1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的**忌讳的错误。
  2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
  3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于**电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
  4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。