海飞乐技术MOS模块现货替换APT30M19JVR。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！采用**的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON），具有低R DS（on），超过**额定值的应力可能会损坏设备，**额定值仅为压力等级，长期暴露于高于**操作条件的应力可能影响设备可靠性。
APT30M19JVR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT30M19JVR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOSFET的沟道的性质
因为流过沟道的电流I_D和沟道的性质强相关，所以要想弄清楚伏安特性，就必须先搞懂沟道的性质。
Case I：如图Fig.3 当V_G=1V，V_TH=0.5V，源级和漏极分别接地时，此时沟道打开，沟道中聚集了电荷。但是沟道两头没有电压，就没有驱动力，此时I_D=0。
Fig. 3 Case I
Case II：如图Fig.4 所示，V_G=1V，V_TH=0.5V，半导体基板上的两级一个是0.6V，一个接地，因为N型半导体电压高的那端为漏极，低的一端为源级，所以V_D=0.6V，V_S=0V，得到V_GS=1V > V_TH，所以沟道开启。因为V_DS=0.6V>0，所以沟道中存在从D流向S的电流。（只要栅极相对于半导体基板其中任意一端的电压大于V_TH，则沟道开启）。
Fig. 4 Case II
但是因为源级和漏极电压不一样，沟道两侧的分布电压就不一样，靠近S端的电压为V_GS=1V，靠近D端的电压为V_GD=0.4V，根据Q=CV（一个圆等于两个半圆），沟道中聚集的电荷数量分布也不均匀。靠近S端的沟道中电荷多，靠近D端的沟道中电荷少。
上面两个Case非常重要，这两个Case如果理解清楚了，就摸清了电荷在沟道中的分布规律，电荷的变化率就是电流。根据上面的原理，我们来推导MOSFET的伏安特性。