海飞乐技术N沟道高压1700V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| 1700 | 3 | 8.5 | 10.5 | TO-263/220F/3PF/247 | 充电桩、高频工业电源 |
| 1700 | 6 | 4.5 | 6 | TO-3PF/247 | 充电桩、高频工业电源 |
| 1700 | 10 | 2.8 | 3.5 | TO-3PF/247 | 充电桩、高频工业电源 |
| 1700 | 30 | 1.4 | 1.8 | SOT-227B | 充电桩、高频工业电源 |
MOSFET在概念上属于“绝缘闸极场效晶体管，而IGFET的闸极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅闸极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅做为氧化层之用。今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为--。
随着MOS器件的特征尺寸不断缩小，铝栅与源漏扩散区的套刻不准问题变得越来越严重，源漏与栅重叠设计导致，源漏与栅之间的寄生电容越来越严重，半导体业界利用多晶硅栅代替铝栅。多晶硅栅具有三方面的优点：*个优点是不但多晶硅与硅工艺兼容，而且多晶硅可以耐高温退火，高温退火是离子注入的要求;第二个优点是多晶硅栅是在源漏离子注入之前形成的，源漏离子注入时，多晶硅栅可以作为遮蔽层，所以离子只会注入多晶硅栅两侧，所以源漏扩散区与多晶硅栅是自对准的;第三个优点是可以通过掺杂N型和P型杂质来改变其功函数，从而调节器件的阈值电压。因为MOS器件的阈值电压由衬底材料和栅材料功函数的差异决定的，多晶硅很好地解决了CMOS技术中的NMOS和PMOS阈值电压的调节问题。