三星（Samsung）同样于2006年发表Stacked NAND，2009年进一步发表垂直通道TCAT与水平通道的VG-NAND、VSAT。2013年8月，三星发布名为V-NAND的3D NAND Flash芯片，采用基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 Gb的容量，比目前20nm平面NAND Flash多两倍，可靠性、写入速度也比20nm制程NAND Flash还高。三星目前在3D-NAND Flash应用进度其他业者，V-NAND制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其V-NAND目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。
东芝（Toshiba）以2009年开发的BiCS—3D NAND Flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的Flash产品。为了后续3D NAND Flash的量产铺路，东芝与新帝（SanDisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年Q3完工，Q3顺利进入规模化生产。而SK海力士与美光（Micron）、英特尔（Intel）阵营，也明确宣告各自3D NAND Flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年Q2送样测试，快于年底量产。
由于3D NAND Flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2D平面NAND Flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3D NAND Flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。
移动设备的快闪存储器容量、速率进展
移动设备所需要的GB储存容量，据估计每部手机搭配的NAND Flash容量，将从2012年5.5GB增加到2015年的25.1GB；每部平板电脑搭配NAND Flash容量，从28.7GB增加到2015年的96.1GB。
eMMC（embedded MultiMedia Card）是JEDEC协的储存媒体规范，其藉由将MMC Controller跟NAND Flash封装成一颗芯片的方式，移动设备无须顾虑着NAND Flash制程与规格的改变，与新世代NAND Flash搭配的快闪存储器控制芯片与韧体的搭配，进而简化体积与电路设计。2013年有4.5亿部移动设备均使用eMMC。
而Universal Flash Storage（UFS）将以往eMMC安、低功耗、小尺寸封装的应用， 目前SSD所使用到的高速串列介面技术，目前UFS 1.1规格传输速率达到3Gbps，未来UFS 2.0将可进一步达到6Gbps。因UFS跟既有的eMMC介面迥然不同也无法相容，相关产业供应链尚未齐，整个产业 尚未建立，UFS产品预估2014年才有小量产品出现在市面上，且因成本因素会瞄准在市场，UFS与eMMC两者届时会并存在市场上一阵子。