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回收进口zigbee芯片 回收SMT贴片电子料

发布时间:2021-06-23 10:44:17       返回列表
 回收进口zigbee芯片 回收SMT贴片电子料 以浮闸式(Floating Gate)半导体电路所设计的NAND Flash非挥发性存储器,随着Flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下,已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。
  Micron自家市场统计预测指出,从2012到2016年总体NAND Flash容量应用的年复合成长率可达51  。2013年,美光(Micron)与SK Hynix两家晶圆厂,先后发表16nm制程的NAND Flash存储器技术,而东芝(Toshiba)则在2014年直接跨入15nm制程,并推出相关NAND Flash存储器芯片产品
  NAND Flash传输速率,从2010年onFI 2.0的133MB/s,eMMC v4.41的104MB/s;到2011年onFI v2.2/Toggle 1.0规格,传输速率提升到200MB/s,eMMC v4.5拉高到200MB/s,UFS 1.0传输速率为2.9Gbps;2012年onFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s,UFS v2.0传输速率倍增为5.8Gbps;预估到2015年,onFI v4.x/Toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800MB/s、1.6GB/s。
  随着NAND Flash制程进步与线路宽度与间距的微缩,连带影响到抹写次数(P/E Cycles)的缩减。SLC存储器从3x  制程的100,000次P/E Cycles、4个ECC bit到2x  制程降为60,000 P/E、ECC 24bit。MLC从早期5x  制程10,000 P/E、ECC 8bit,到2x/2y  制程时已降为3,000 P/E、24~40个ECC bit。
  有厂商提出,eSLC、iSLC的存储器解决方案,以运用既有的低成本的MLC存储器,在单一细胞电路单元使用SLC读写技术(只储存单一位元的电荷值),抹写耐用度提升到30,000次P/E,成本虽比MLC高,但性价比远于SLC,可应用在IPC/Kiosk/POS系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。     M62244FP          M62332FP          M62342FP          M62352GP          M62363FP          M62392FP          M63028FP          M65847AFP          M66005-0001AHP          M66291GP
PS2501-1     PS2501L-1-F3    PS2701-1-F3-A     PS2801-4-F3-A    PF08127B-TB

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