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高通()控股有限公司在贵安新区注册，成为高通投资的载体;同年1月，华芯通在贵安新区注册成立，高通占股45%，贵州省政府占股55%，并于5月份正式投入运营，专门开发、设计和销售面向市场的基于ARM 架构的服务器芯片;2016年11月，华芯通正式启用位于北京望京地区的研发中心。开店为梦想，有希望，生意要兴隆，经营有，机遇常光临，财运常临近，和气在店面，财气罩身边，常相伴，辉煌天，愿你开业，万事如意。
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IMFT使用的**工艺可以显著地改变消费电子产品的设计和使用方式。这些高密度、高性能闪存器件使得Intel支持的Robson闪存缓存技术以及混合SSD/HD系统（受到微软、Sandisk和希捷的支持）得以实现。这些技术很可能出现在那些需要大量存储器的产品中，例如台式电脑和笔记本电脑。微型MLC NAND闪存器件可以存储大量的数据，这些器件不需要供电就能保持数据。
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不过，在Computx 2017上，英特尔很快“打脸”英伟达，表示将在2017年的下半年推出深度学习专用芯片，这种芯片速度比GPU快10倍，还将在2020年之前把深度学习的训练速度提升100倍。英伟达是人工智能GPU芯片**大厂，英特尔“打脸”的目标不言而喻。
有报道称苹果正设法阻挠西部数据（WesternDigitalCorp）收购东芝的半导体业务，威胁后者倘若收购成功便不会从其手中购买闪存芯片。
鸿海出的代表是富士康，炒作的也是富士康，不过后一轮竞标是自己去的，鸿海是当前所有给出收购方案报价高的，达到了惊人的270亿美元，更有传言说郭台铭愿意出375亿美元，从财力方棉人可及。不过由于对富士康不感冒鸿海一直处于劣势地位，只是东芝为了尽可能足够多的资金化解当前危机，鸿海还是成为4家竞标公司之一。
武汉新芯采用技术合作和专利许磕**切入3DNANDFlash研发，目前研发进展比较顺利。一方面，武汉新芯长期和中科院微电子研究所通过产研深度结合的，展开3DFlash的联合技术研发；另一方娩汉新芯和半导体设计公司Spansion签订3DNAND协定，联合启动3DNAND计划，预计2017年底就能取得48层3DNAND验证，2018年进行量产。目前长江存储的32层3DNANDFlash产品已经成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，顺利通过电学特性等各项指标，达到预期要求，茫茫人海，多一个人相知，是一种欣慰。人生旅途，多一个人相伴，是一种福气。红尘多忧，多一个人问候，是一种慰藉。愿你开心！
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