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IMFT还修改了浅沟道隔离的集成顺序。这种修改为存储器阵列中的有效区域间距提供了可缩放性（这对于IMFT推动下一代工艺节点很关键），Semiconductor Insights对此有很详细的研究。有趣的是，尽管这种修改允许缩放，但在这个顺序中的某些步骤看起来并不具有任何技术优势。有人不禁会认为，这种方法是否是为了回避其他闪存提供商拥有的STI工艺顺序。
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首先，IMFT的工程师已从基于铝的互连技术转向了铜互连技术。这种新的工艺将更容易地调整金属化层来适应接近40纳米的设计。使用钨过孔优先的双镶嵌技术形成的金属层1可以很简单地从4Gb版本转移到新的16Gb闪存器件；我们可以看到金属层1是否会在40纳米工艺时第二次用到。
下游需求向好，业绩增长提速：公司2017上半年营收2.56亿，同比增长23.77%，归属净利0.42亿，同比增长28.84%;2017Q2营收1.45亿，同比增长28.54%；归属净利0.27亿，同比增长36.89%，公司业绩增长提速，一是下游各应用领域需求向好；二诗司产品结构进一步高端化，光纤、半导体等电子级产品增长较快。2017H1毛利率37.29%，同比0.44pct，净利率16.43%，同比0.64pct，盈利能力依然维持在较高水平。
需求的确在，但半导体难以预测。2000年以后，大约经历过5次，可能是出于对信息技术的期待，半导体厂商出现垄断化，市场行情趋于。
根据IHarkit的新统计，第二季度全球芯片销售收入环比增长6.1％，达到1014亿美元，创2014年以来高增速。当季存储器芯片销售收入环比大幅增长10.7％至302亿美元，代史新高。南山得心跳仍在继续，我们的脚步也没有停息，梦想在前方，未也在前方。不要徘徊，不要犹豫，放飞梦想吧!展望未吧!"二"人相遇，"零"点距离，"一"心相爱，"一"生一起;2016，"二"份，"零"点压力，"一"份喜悦，"一"份记忆!2017马上到了，祝愿会有更加美好的含义!
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